当您设计新电力电子产品时，您的目标任务一年比一年更艰巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一个必须实现的特性。SiCMOSFET是一种能够满足这些目标的解决方案。以下重要技巧旨在帮助您创建基于SiC半导体的开关电源，其应用领域包括光伏系统、储能系统、电动汽车(EV)充电站等。为何选择SiC？为了证明您选择SiCMOSFET作为开关模式设计的首选功率半导体是正确的，请考虑

文章介绍了采用表面贴装封装设计LITTLEFOOT®功率MOSFET的过程。它描述了功率MOSFET的驱动电感性负载，公共栅极驱动器以及磁盘驱动器应用以及公共栅极级的驱动电容性负载。VishaySiliconix的LITTLEFOOT功率MOSFET将强大的功率处理能力封装在纤巧的表面贴装封装中。标准概述的8引脚SOIC封装（图1）具有铜引线框架，可最大程度地提高热传递，同时保持与现有表面贴装技术

工程师已经研究和开发了可以代替机械继电器的固态继电器设备。与机械继电器相比，这些固态继电器具有更高的可靠性，更快的切换时间，没有切换弹跳以及更小的尺寸。但是随着这些优点的出现，带来了使设计人员和用户不愿使用固态继电器的缺点。诸如较高的成本和较高的相对导通电阻的缺点。本文讨论了汽车级光伏驱动器和分立MOSFET，以形成光隔离的固态继电器。借助光伏驱动器，设计人员可以从广泛的汽车级MOSFET产品组合

本应用笔记介绍了从MOSFET漏极驱动的ZCD（零电流检测）引脚。该文档描述了标准的ZCD配置及其替代和电阻器配置。CS1601采用ZCD（零电流检测）设计，当流过升压电感器的电流接近零时，该控制器便具有开启MOSFET的能力。这也可以描述为谷/零交叉切换。这是通过在PFC扼流圈上添加检测绕组来检测电流来实现的。如果由于设计或制造方面的限制而在升压电感器上添加辅助绕组成为问题，那么下面将介绍实现此